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SSW65R099SFD
1个N沟道 耐压:650V 电流:40A
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- 品牌名称
- 上海超致
- 商品型号
- SSW65R099SFD
- 商品编号
- C718951
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 6.833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.6nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
- SJ-FET是新一代高压MOSFET系列,采用先进的电荷平衡机制,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。-这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。-SJ-FET适用于各种开关模式操作下的AC/DC电源转换,以实现更高的效率。
商品特性
- 多外延工艺SJ-FET
- 快速恢复体二极管
- 极低的反向恢复电荷
- 700V @TJ = 150 ℃
- 典型RDS(on) = 0.085Ω
- 超低栅极电荷（典型Qg = 75nC）
- 100%经过雪崩测试
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