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SSB65R360S2
1个N沟道 耐压:650V 电流:8.2A
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- 描述
- SJ-FET 是新一代高压 MOSFET 系列，利用先进的电荷平衡机制，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极端的 dv/dt 速率和更高的雪崩能量。SJ-FET 适用于各种开关模式操作的 AC/DC 电源转换，以实现更高的效率。
- 品牌名称
- 上海超致
- 商品型号
- SSB65R360S2
- 商品编号
- C718960
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 2.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 810pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
- SJ-FET是新一代高压MOSFET系列产品,采用先进的电荷平衡机制,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。-这项先进技术经过优化,可最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。-SJ-FET适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换,以实现更高的效率。
商品特性
- 多外延工艺SJ-FET
- 700V @TJ = 150 °C
- 典型RDS(on) = 0.33 Ω
- 超低栅极电荷（典型Qg = 23nC）
- 100%经过雪崩测试
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