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SGO100N08L
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 使用独特优化的沟槽MOSFET技术，可提供高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低，导通和开关功率损耗最小化。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- 上海超致
- 商品型号
- SGO100N08L
- 商品编号
- C718961
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.57nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品概述
SG-MOSFET采用独特优化的沟槽MOSFET技术，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光源的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- VDS 100V
- ID（Vgs = 10V时）14A
- RDS(on)（Vgs = 10V时）<8.2mΩ
- （Vgs = 4.5V时）<10.5mΩ
- 出色的雪崩性能
应用领域
- 升压转换器-用于消费、电信、工业电源和LED背光源的同步整流器