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WST2300
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.4A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 20 VGS(V) 12 ID(A)Max. 4.4 VGS(th)(v) 0.85 RDS(ON)(m?)@4.25V 50 Qg(nC)@4.5V 6.4 QgS(nC) 0.54 Qgd(nC) 1.25 Ciss(pF) 382 Coss(pF) 41 Crss(pF) 33
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2300
- 商品编号
- C719074
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V,1.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 382pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
WST2300是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WST2300符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供环保型器件
应用领域
- 高频负载点同步开关，适用于移动主板（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、视频图形阵列（VGA）的小功率开关应用
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关