IXFB170N30P
IXFB170N30P
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Littelfuse(美国力特)
- 商品型号
- IXFB170N30P
- 商品编号
- C6644528
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 258nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4的芯片尺寸。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。
商品特性
-快速本征二极管-雪崩额定-极低的热阻实现高功率耗散-低导通电阻RDS(ON)-低封装电感-低栅极电荷,驱动要求简单-改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性-高功率密度
应用领域
-直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流和直流电机控制-不间断电源-高速功率开关应用