IXFR102N30P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,51A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 224nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 国际标准封装
- 175°C工作温度
- 高电流处理能力
- 雪崩额定
- 快速本征整流器
- 低导通电阻RDS(on)
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 汽车
- 电机驱动器
- 12V电源总线
- 防抱死制动系统（ABS）
- DC/DC转换器和离线式UPS
- 初级侧开关
- 大电流开关应用