我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
IXTH48P20P实物图
  • IXTH48P20P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTH48P20P

IXTH48P20P

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
IXTH48P20P
商品编号
C6644586
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)48A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)462W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)103nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置-

商品概述

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品范围,是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能,650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥(ZVS))中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

  • 超快速体二极管
  • 650 V击穿电压
  • 同类最佳的RDS(on)
  • 降低开关损耗
  • RDS(on)随温度变化小

应用领域

  • 适用于软开关拓扑
  • 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化 – 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能

数据手册PDF