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IXTY10P15T引脚图
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IXTY10P15T

IXTY10P15T

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商品型号
IXTY10P15T
商品编号
C6644644
商品封装
TO-252AA​
包装方式
管装
商品毛重
0.627克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))350mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC
输入电容(Ciss)2.21nF
反向传输电容(Crss)43pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)146pF
栅极电压(Vgs)±15V

商品特性

  • 国际标准封装
  • 雪崩额定
  • 扩展正向偏置安全工作区(FBSOA)
  • 快速本征二极管
  • 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 高端开关
  • 推挽放大器
  • 直流斩波器
  • 自动测试设备
  • 电流调节器
  • 电池充电器应用

数据手册PDF