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IXTY1N100P引脚图
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IXTY1N100P

IXTY1N100P

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商品型号
IXTY1N100P
商品编号
C6644646
商品封装
TO-252AA​
包装方式
管装
商品毛重
0.627克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))12.2Ω@10V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15.5nC
输入电容(Ciss)331pF
反向传输电容(Crss)5.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)24pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低栅极电荷(QG)
  • 雪崩额定值
  • 低封装电感
  • 快速本征整流器
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 交流和直流电机驱动器
  • 激光驱动器
  • 机器人和伺服控制

数据手册PDF