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IXTH1N200P3HV实物图
  • IXTH1N200P3HV商品缩略图

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IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

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商品型号
IXTH1N200P3HV
商品编号
C6644584
商品封装
TO-247HV​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)2kV
连续漏极电流(Id)1A
属性参数值
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))2V

商品概述

全新的MDmesh M6技术整合了对知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。它将出色的单位面积导通电阻(RDS(on))改善与高效的开关性能相结合,同时为用户带来便捷体验,以实现终端应用的最高效率。

商品特性

  • 高阻断电压
  • 高压封装
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 高压电源
  • 电容放电应用
  • 脉冲电路
  • 激光和X射线发生系统

数据手册PDF