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IXFR36N60P

IXFR36N60P

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商品型号
IXFR36N60P
商品编号
C6644564
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)102nC@10V
输入电容(Ciss)5.8nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 直接敷铜基板上的硅芯片
  • 高功率耗散
  • 隔离安装面
  • 2500V电气隔离
  • 国际标准封装
  • 快速恢复二极管
  • 具备非钳位电感开关(UIS)额定值
  • 低封装电感
  • 易于驱动和保护

应用领域

  • 同步整流-DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机驱动器-不间断电源-高速功率开关应用

数据手册PDF