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IXFT69N30P实物图
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IXFT69N30P

IXFT69N30P

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商品型号
IXFT69N30P
商品编号
C6644570
商品封装
TO-268AA​
包装方式
盒装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)69A
属性参数值
耗散功率(Pd)500W
阈值电压(Vgs(th))2.5V

商品概述

WSK140N06是一款高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
  • 封装电感低
  • 易于驱动和保护
  • 本征二极管速度快

应用领域

  • 逆变器系统的电源管理

数据手册PDF