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IXFN30N120P实物图
  • IXFN30N120P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN30N120P

IXFN30N120P

商品型号
IXFN30N120P
商品编号
C6644558
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))350mΩ@10V,15A
耗散功率(Pd)890W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)310nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)25pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低本征栅极电阻
  • 带氮化铝隔离的miniBLOC封装
  • 低封装电感
  • 快速本征整流器
  • 低漏源导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(QG)
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 交流电机控制
  • 高速功率开关应用
  • 源漏二极管

数据手册PDF