温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD85302L
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CSD85302L 采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD85302L
- 商品编号
- C701748
- 商品封装
- PicostAr-4(1.3x1.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.7mΩ@6.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 718pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
商品概述
这款20V、18.7mΩ、采用1.35mm×1.35mm接合栅格阵列(LGA)封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中由电池供电的应用。
商品特性
- 共漏极配置
- 低导通电阻
- 1.35mm×1.35mm小外形封装
- 无铅且无卤素
- 符合RoHS标准
- 人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)保护>2.5kV
应用领域
- USB Type-C/PD
- 电池管理
- 电池保护
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交6单