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CSD87502Q2
2个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- CSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD87502Q2
- 商品编号
- C701752
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32.4mΩ@10V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 353pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交19单
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