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CSD18511Q5A
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- CSD18511Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18511Q5A
- 商品编号
- C701747
- 商品封装
- SON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 159A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 238pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 452pF |
商品概述
这款 40V，1.9mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET功率MOSFET的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率损耗。
商品特性
- 低RDS(ON)低热阻
- 雪崩额定值逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合RoHS标准无卤素小外形尺寸无引线(SON) 5mm x 6mm塑料封装
应用领域
- 直流 - 直流转换次级侧同步整流
- 电池电机控制
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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