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AO3400A
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.2A
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- 描述
- AO3400A是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。AO3400A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- AO3400A
- 商品编号
- C700953
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 927pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3400A 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 AO3400A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 Cdv/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术