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TPB65R120M
650V超结功率MOSFET
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- 描述
- 超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。多外延SJ MOSFET是一款开关损耗、通信损耗和传导损耗极低的器件，具有极高的耐用性，这使得它尤其适用于谐振开关应用，可提高可靠性、效率，减轻重量并降低温度，同时也适用于工业级应用，如功率因数校正（PFC）、交流/直流电源转换等对AC - DC开关电源（SMPS）的要求。
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPB65R120M
- 商品编号
- C691629
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 219W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.393nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。多外延SJ MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件，其高鲁棒性使谐振开关应用尤其可靠、高效、轻便且散热良好，也适用于工业级应用，如功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换的AC-DC开关模式电源（SMPS）要求。
商品特性
- 极低的品质因数RDS(on) × Qg
- 100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准