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APW8861QBI-TRG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APW8861QBI-TRG

集成同步降压PWM控制器和线性稳压器的电源管理芯片

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描述
APW8861是一款集成了同步降压PWM控制器和线性稳压器的电源管理芯片。它可以在高输入电压范围内(4.5V至26V)工作,提供可调输出电压(0.75V至3.3V)。该芯片还集成了两个功率晶体管,可以提供高达1.5A的双向输出电流,适用于DDR3和DDR4内存系统的电源供应。
商品型号
APW8861QBI-TRG
商品编号
C691518
商品封装
TQFN-32(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.21克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
功能类型降压型
工作电压4.5V~26V
输出电压-
输出电流-
开关频率400kHz~550kHz
工作温度-40℃~+85℃
属性参数值
同步整流
输出通道数1
拓扑结构降压式
静态电流(Iq)-
开关管(内置/外置)-
输出类型可调

商品概述

APW8861 集成了一个同步降压 PWM 转换器以生成 VDDQ,以及一个源极和吸极 LDO 线性调节器以生成 VTT。它在空间非常宝贵的情况下提供了最低的整体解决方案成本。APW8861 在 PFM 或 PWM 模式下提供出色的瞬态响应和精确的直流电压输出。在脉冲频率模式(PFM)下,APW8861 通过负载调制的开关频率,在轻载到重载条件下提供非常高的效率。在 TQFN-32 封装中,强制 PWM 模式几乎以恒定频率工作,以满足低噪声要求。APW8861 配备了精确的电流限制、输出欠压和输出过压保护。电源开启复位功能监控 VCC 上的电压,以防止上电时出现错误操作。

LDO 设计用于为 DDR-SDRAM 终端提供具有双向输出电流的稳压电压。该器件集成了两个功率晶体管,可以提供高达 1.5A 的源极和吸极电流。它还集成了电流限制和热关断保护。LDO 的输出电压跟踪 VREF 引脚上的电压。内部电阻分压器用于为 VTTREF 和 VTT 电压提供 VREF 的一半电压。VTT 输出电压仅需 20μF 的陶瓷输出电容即可实现稳定性和快速瞬态响应。S3 和 S5 引脚分别为 VTT 提供睡眠状态(S3 状态)和设备的挂起状态(S4/S5 状态)。当 S5 和 S3 都被拉低时,设备为 VTT 和 VTTREF 提供软关断。

应用领域

  • DDR3和DDR4内存电源供应
  • SSTL-2
  • SSTL-18
  • HSTL终端

数据手册PDF

优惠活动

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

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