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SIHF6N65E-GE3

1个N沟道耐压:650V 电流:7A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHF6N65E-GE3
商品编号: C6228063
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊接技术的表面贴装设计。直引脚版本（IRFU/SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平最高可达1.5W。

商品特性

先进的工艺技术
全雪崩额定
表面贴装（IRFR9310、SiHFR9310）
直引脚（IRFU9310、SiHFU9310）
P沟道
快速开关
符合RoHS标准
无卤

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	5A
	导通电阻(RDS(on))	600mΩ@10V,3A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	31W
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	48nC@10V
	输入电容(Ciss)	820pF@100V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)