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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 沟槽功率AlphaSGT技术
- 低RDS(ON)
- 逻辑电平驱动
- 出色的 QG x RDS(ON) 乘积(品质因数)
- 滑动优化工艺
- 符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- 硅芯片置于直接敷铜基板（DCB）上
- 隔离式基板
- 出色的热传递性能
- 增强的温度和功率循环能力
- 高隔离电压（约2500V）
- 175°C工作温度
- 极高的电流处理能力
- 快速本征二极管
- 雪崩额定
- 极低的导通电阻RDS(on)
应用领域
-高频开关和同步整流