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AON2409
1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- 结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。符合RoHS和无卤标准。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON2409
- 商品编号
- C6125486
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 114pF |
商品概述
AON2409将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 快速开关，低电磁干扰
- 低trr，高可靠性
- 超低Crss，增强抗噪性
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 符合RoHS标准
应用领域
- ZVS移相及其他全桥电路
- 半桥电路
- 功率因数校正（PFC）及其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路