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AOTF4185
1个P沟道 耐压:40V
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- 描述
- 将先进的 -40V 沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可提供极低的 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTF4185
- 商品编号
- C6125508
- 商品封装
- TO-220FL
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
Power MOS 8是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。这种“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复和具备高恢复dv/dt能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的Crss / Ciss比值，使其具备出色的抗噪性和低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制di/dt，即使在非常高的频率下进行开关操作，也能实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联。
商品特性
- 低EMI的快速开关
- 低trr以实现高可靠性
- 超低Crss以提高抗噪性
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 符合RoHS标准
应用领域
- ZVS移相和其他全桥电路
- 半桥电路
- 功率因数校正（PFC）和其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路