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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOWF8N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 该器件具有低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 沟槽功率AlphaMOS(αMOS LV)技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 针对负载开关进行优化
- 高电流承载能力
- 静电放电保护
- 符合RoHS标准且无卤
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 人体模型(HBM)2级
- 100%进行了栅极电阻(Rg)测试
应用领域
-笔记本电脑电池组