AOT3N100
1个N沟道 耐压:1kV 电流:2.8A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOT3N100
- 商品编号
- C6125497
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
AOT3N100和AOTF3N100采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低漏源导通电阻（RDS(on)）、输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）、输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）
- 有保证的雪崩能力
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准