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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AOTF260L采用独特优化的沟槽MOSFET技术,可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光源的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：QSW = 4.4 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 54 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 200 V）
- 增强型：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.3 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器