AOI4S60
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 263pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.75pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 碳化硅功率MOSFET
- 高速开关
- 低导通电阻RDS(on)
- 超低损耗
- 碳化硅肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性与温度无关
- 正向电压VF具有正温度系数
- 极低的杂散电感
- 开尔文源极，便于驱动
- 内置热敏电阻用于温度监测
- 高度集成
- 采用氮化铝（AlN）基板，提升热性能
应用领域
- 焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制