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AON1606
1个N沟道 耐压:20V
- 描述
- 采用先进的沟槽MOSFET技术，封装尺寸为DFN 1.0 x 0.6，适用于负载开关应用。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON1606
- 商品编号
- C6125484
- 商品封装
- DFN-3(0.6x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 275mΩ@4.5V,0.4A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 850pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 62.5pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- Power MOS 8TM MOSFET
- 低导通电阻（RDSon）
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 碳化硅（SiC）肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向电压（VF）具有正温度系数
- ISOTOP 封装（SOT - 227）
- 极低的杂散电感
- 高度集成
- 高频工作时性能卓越
- 温度特性稳定
- 坚固耐用
- 可直接安装到散热器上（隔离封装）
- 结到外壳的热阻低
- 由于集电极 - 发射极饱和电压（VCEsat）具有正温度系数，易于并联
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 交流和直流电机控制-开关模式电源