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DXT790AP5-13
高增益晶体管 PNP 电流:3A 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -40V。 连续集电极电流高：IC = -3A。 脉冲峰值电流：ICM = -6A。 比SOT223小43%；比TO252小60%。 最大高度仅1.1mm。 额定功率达3.2W。 低饱和、高增益晶体管。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DXT790AP5-13
- 商品编号
- C672304
- 商品封装
- PowerDI-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 80@3A,2V | |
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 450mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> -40V
- 连续集电极电流（IC）高达 -3A
- 脉冲峰值电流（ICM）为 -6A
- 比 SOT223 小 43%；比 TO252 小 60%
- 最大高度仅 1.1mm
- 额定功率高达 3.2W
- 低饱和、高增益晶体管
- 完全无铅，完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过 AEC - Q101 高可靠性标准认证
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