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TJ30S06M3L,LXHQ
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 16.8 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。 低泄漏电流：IPASS = -10 μA（最大值）(VDS = -60 V)。 增强模式：VDM = -2.0 至 -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)。应用：汽车。 电机驱动器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TJ30S06M3L,LXHQ
- 商品编号
- C5961227
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.95nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.327Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS
- 易于控制栅极开关
- 增强模式：Vth = 2.7 至 3.7V（VDS = 10V，ID = 0.5mA）
应用领域
- 开关稳压器