TK12P50W,RQ
1个N沟道 耐压:500V 电流:11.5A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12P50W,RQ
- 商品编号
- C5961277
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V,5.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF@300V |
商品概述
适用于基站应用的50 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为3400 MHz至3800 MHz。
商品特性
- 最高可在32 V的最大漏源电压（VDS）下工作
- 适用于3.4 GHz至3.8 GHz频率范围
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计
- 内部匹配，使用方便
- 引脚镀金厚度低
- 符合关于限制有害物质（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 适用于3400 MHz至3800 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器