TK12P50W,RQ
1个N沟道 耐压:500V 电流:11.5A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12P50W,RQ
- 商品编号
- C5961277
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF |
商品概述
适用于基站应用的50 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为3400 MHz至3800 MHz。
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.265 Ω(典型值)
- 栅极开关易于控制
- 增强型:Vth = 2.7至3.7 V(VDS = 10 V,ID = 0.6 mA)
应用领域
-开关稳压器
- TK13P25D,RQ
- TK14A55D(STA4,Q,M)
- TK16G60W,RVQ
- TK20J60W,S1VE
- TK31E60X,S1X
- TK31V60X,LQ
- TMM-102-06-F-D
- SXT32417BB38-36.000M
- TMM-102-06-L-D
- TMM-102-06-L-S
- SXT32417BB38-40.000M
- TMM-102-06-S-S
- SXT32417BB48-24.576M
- TMM-103-01-F-D-SM-TR
- TMM-103-01-G-S-RE
- SXT32417BB48-37.400M
- TMM-103-01-L-Q-RE
- TMM-103-01-L-S-SM-TR
- TMM-103-01-LM-S-SM-TR
- TMM-103-01-S-D-SM-003
- TMM-103-01-S-D-SM-TR