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TK16G60W,RVQ
1个N沟道 耐压:600V 电流:15.8A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK16G60W,RVQ
- 商品编号
- C5961289
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,7.9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@300V |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.16 Ω（典型值）
- 采用超级结结构：DTMOS
- 栅极开关易于控制
- 增强型：V_th = 2.7 至 3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.79 mA）
应用领域
- 开关稳压器