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TPCC8105,L1Q引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPCC8105,L1Q

1个P沟道 耐压:30V 电流:23A

品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TPCC8105,L1Q
商品编号
C5961876
商品封装
TSON-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1525克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on))7.8mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)700mW;30W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)76nC@10V
输入电容(Ciss)3.24nF

商品特性

  • 采用小型薄型封装,占用空间小
  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 6.0 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)
  • 低漏电流:IDSS = -10 μA(最大值)(VDS = -30 V)
  • 增强型:Vth = -0.8 至 -2.0 V(VDS = -10 V,ID = -0.5 mA)

应用领域

  • 锂离子电池应用
  • 电源管理开关应用

数据手册PDF