TPN4R712MD,L1Q
1个P沟道 耐压:20V 电流:36A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN4R712MD,L1Q
- 商品编号
- C5961944
- 商品封装
- TSON-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07956克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@4.5V,18A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF@10V |
商品特性
- 高速开关
- 小栅极电荷：QSW = 21 nC（典型值）
- 小输出电荷：Qoss = 66 nC（典型值）
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.4 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 60 V）
- 增强型：Vth = 1.5 至 2.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.7 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器
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