TK31V60X,LQ
1个N沟道 耐压:600V 电流:30.8A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK31V60X,LQ
- 商品编号
- C5961301
- 商品封装
- DFN-4-EP(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@10V,9.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF@300V |
商品概述
适用于电子应用的200 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为1030 MHz至1090 MHz。
商品特性
- 在1030 MHz至1090 MHz频率、28 V电源电压和100 mA IDq条件下的典型脉冲射频性能：
- 输出功率 = 200 W
- 功率增益 = 20 dB
- 效率 = 65 %
- 易于进行功率控制
- 集成ESD保护
- 增强的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计（1030 MHz至1090 MHz）
- 内部匹配，使用方便
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 1030 MHz至1090 MHz频率范围内的电子发射机应用。