TK13P25D,RQ
1个N沟道 耐压:250V 电流:13A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK13P25D,RQ
- 商品编号
- C5961281
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF |
商品概述
适用于3400 MHz至3600 MHz频率基站应用的90 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.19 Ω(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 250 V)
- 增强型:Vth = 1.5 至 3.5 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
- 开关稳压器