TK10A60W,S4VX
1个N沟道 耐压:600V 电流:9.7A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK10A60W,S4VX
- 商品编号
- C5961261
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,4.9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF@300V |
商品概述
适用于基站应用，频率范围为2500 MHz至2700 MHz，视频带宽得到改善的100 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 专为宽带运行设计（2500 MHz至2700 MHz）
- 较低的输出电容，可改善Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计，提供出色的预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
适用于2500 MHz至2700 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器