TK10A60W,S4VX
1个N沟道 耐压:600V 电流:9.7A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK10A60W,S4VX
- 商品编号
- C5961261
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
适用于基站应用，频率范围为2500 MHz至2700 MHz，视频带宽得到改善的100 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.327Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS
- 易于控制栅极开关
- 增强模式:Vth = 2.7 至 3.7V(VDS = 10V,ID = 0.5mA)
应用领域
- 开关稳压器