TK12A45D(STA4,Q,M)
1个N沟道 耐压:450V 电流:12A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12A45D(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C5961273
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS (ON) = 0.43 Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 5.5 S(典型值)
- 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 450 V)
- 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
- 开关稳压器应用