TK12A45D(STA4,Q,M)
1个N沟道 耐压:450V 电流:12A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12A45D(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C5961273
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V,6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@25V |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 低导通电阻，导通损耗低
- 适用于标准电平栅极驱动源
- 额定温度达175°C，适用于对散热有要求的环境
应用领域
- 12 V负载
- 通用电源开关
- 汽车系统
- 电机、灯具和螺线管