STD2NC45-1
1个N沟道 耐压:450V 电流:1.5A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD2NC45-1
- 商品编号
- C5931779
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新型功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求极高的高效转换器。
商品特性
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷极小化
- 全新的高压基准
应用领域
- 开关应用