- 引脚图
- 焊盘图
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STGW30NC60W
STGW30NC60W
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW30NC60W
- 商品编号
- C5931806
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.08nF | |
| 输出电容(Coes) | 175pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 52pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 29.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 118ns | |
| 导通损耗(Eon) | 305uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 181uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
- SXT11410DD16-30.000M
- STH11K33F17-38.400M
- SXT11410DD17-32.000M
- STH11K33F38-26.000M
- STH11K33F38-38.400M
- SXT11410DD38-27.120M
- STH11K33O16-38.400M
- SXT11410DD38-38.400M
- STH11K33P07-38.400M
- SXT11410DD48-38.400M
- STH11K33P16-26.000M
- STH11K33Q16-38.400M
- STH11K33R27-26.000M
- STH21K33F07-32.000M
- SXT11410EA17-30.000M
- STH21K33F17-32.000M
- SXT11410EA38-24.000M
- STH21K33F17-38.400M
- STH21K33F38-19.200M
- SXT11410EB17-27.000M
- STH21K33O07-32.000M