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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是一款采用STripFET™ III技术生产的N沟道增强型功率MOSFET，专门设计用于最大限度降低导通电阻和栅极电荷，以提供卓越的开关性能。
商品特性
- 该值根据 R\textthj-pcb 进行额定。
- N沟道增强型
- 低栅极电荷
- 低阈值电压器件
应用领域
-开关应用