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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V,7.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 965pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 1.5V栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻：
- RDS(ON) = 5.6Ω（最大值）（@ VGS = 1.5V）
- RDS(ON) = 4.0Ω（最大值）（@ VGS = 1.8V）
- RDS(ON) = 3.0Ω（最大值）（@ VGS = 2.5V）
- RDS(ON) = 2.2Ω（最大值）（@ VGS = 4.5V）
应用领域
- 高速开关
- 模拟开关