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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 965pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款专用功率MOSFET采用了意法半导体(STMicroelectronics)独特的“STripFETTM”技术的最新一代产品。由此产生的晶体管针对低导通电阻和最小栅极电荷进行了优化。芯片级PowerFLATTM封装可显著节省电路板空间,同时提升性能。
商品特性
- 改善芯片与封装尺寸比
- 超薄封装(最大1mm)
- 极低的热阻
- 极低的栅极电荷
- 低阈值器件
应用领域
- 开关应用
- STP10NM60N
- STP9NM40N
- STM32C031K6T7
- SXT11410EE07-24.000M
- STM32G071K8U6TR
- STM32G0B1RBI3N
- SXT11410EE07-32.000M
- STM32G0B1VET7TR
- SXT11410EE07-40.000M
- STM32H730VBT6TR
- SXT11410EE17-40.000M
- STM32H755XIH6TR
- SXT11410EE38-30.000M
- STM32WLE5UCY7TR
- STM704RDS6E
- SXT11410FA07-32.000M
- SXT11410FA38-27.120M
- SXT11410FA38-30.000M
- STPS20SM60SR
- SXT11410FA48-26.000M
- STPS30170CFP