- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STFI20NK50Z
1个N沟道 耐压:500V 电流:17A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFI20NK50Z
- 商品编号
- C5931791
- 商品封装
- I2PAKFP(TO-281)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 119nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是一款采用 SuperMESHTM 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET,通过对成熟的基于条形的 PowerMESHTM 布局进行优化实现。除了显著降低导通电阻外,该器件还旨在为最严苛的应用确保高水平的 dv/dt 能力。
商品特性
- 全绝缘、薄型封装,引脚到散热板的爬电距离增加
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷最小化
应用领域
- 开关应用
- SXT11410DC38-27.120M
- STFPC320BTR
- SXT11410DC48-30.000M
- SXT11410DC48-32.000M
- STG2EE-53
- STGIPS10K60A2
- STGIPS15C60
- SXT11410DD16-27.120M
- STGW30NC60W
- SXT11410DD16-30.000M
- STH11K33F17-38.400M
- SXT11410DD17-32.000M
- STH11K33F38-26.000M
- STH11K33F38-38.400M
- SXT11410DD38-27.120M
- STH11K33O16-38.400M
- SXT11410DD38-38.400M
- STH11K33P07-38.400M
- SXT11410DD48-38.400M
- STH11K33P16-26.000M
- STH11K33Q16-38.400M