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场效应管(MOSFET)
STD5N62K3
引脚图
此图展示了型号为 STD5N62K3 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 STD5N62K3 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
STD5N62K3
1个N沟道 耐压:620V 电流:4.2A
品牌名称
ST(意法半导体)
商品型号
STD5N62K3
商品编号
C5931783
商品封装
DPAK
包装方式
编带
商品毛重
0.476克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
620V
连续漏极电流(Id)
4.2A
导通电阻(RDS(on))
1.6Ω@10V
属性
参数值
耗散功率(Pd)
70W
阈值电压(Vgs(th))
4.5V
栅极电荷量(Qg)
26nC@10V
输入电容(Ciss)
680pF
工作温度
-55℃~+150℃
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