IRLTS2242TRPBF-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6;P—Channel沟道,-30V;-4.8A;RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLTS2242TRPBF-VB
- 商品编号
- C5878825
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V;54mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V;5.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 结温 175 °C
- 沟槽功率 MOSFET
- 符合 RoHS 标准
- N 沟道 MOSFET
相似推荐
其他推荐
- IRLU110PBF-VB
- ISL9N306AD3ST-VB
- MMDF3N04HDR2G-VB
- NDS9410A-NL-VB
- NDS9435A-NL-VB
- NTGS4111PT1G-VB
- RFD16N06LESM-VB
- SI2309DS-T1-GE3-VB
- SI2333DDS-T1-GE3-VB
- Si2342DS-T1-GE3-VB
- SI2347DS-T1-GE3-VB
- SI2369DS-T1-GE3-VB
- Si2399DS-T1-GE3-VB
- SI4413DY-T1-E3-VB
- SI4542DY-T1-E3-VB
- SI4559ADY-T1-E3-VB
- SI4848DY-T1-E3-VB
- SI4884DY-T1-E3-VB
- SI4946BEY-T1-E3-VB
- SI4947DY-T1-E3-VB
- SI6913DQ-T1-GE3-VB
