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IRLL024ZTRPBF-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:7A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、LED驱动器等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；7A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLL024ZTRPBF-VB
- 商品编号
- C5878820
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152964克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET
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