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IRF7815TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:5.4A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOS场效应管，采用Trench技术，适用于小型电路板的设计和布局。SOP8；N—Channel沟道,150V；5.4A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7815TRPBF-VB
- 商品编号
- C5878809
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.121579克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V；85mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 极低的栅漏电荷（Qgd），可降低开关损耗
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 100%进行雪崩测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关
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