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IRF8010SPBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
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- 描述
- 特性：Trench Power MOSFET。 175℃ 最大结温。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF8010SPBF-VB
- 商品编号
- C5878811
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.358095克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 665pF |
商品特性
- 符合IEC 61249 - 2 - 21定义的无卤素要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- DC/DC转换器
- 便携式应用负载开关
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