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IRFR4510TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:85A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFR4510TRPBF-VB
- 商品编号
- C5878814
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.364497克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 565pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 同步整流
- 负载点电源（POL）、中间总线转换器（IBC）
- 次级侧
- N沟道MOSFET
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