温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFL110TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道型器件，采用Trench工艺制造，适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。SOT223；N—Channel沟道,100V；5A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFL110TRPBF-VB
- 商品编号
- C5878813
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.318762克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V；120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100%进行Rq测试
- 100%进行UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心
- 高端开关
相似推荐
其他推荐
- IRFR4510TRPBF-VB
- IRFR5505TRPBF-VB
- IRFU4615PBF-VB
- IRFZ48NSPBF-VB
- IRFZ48RSPBF-VB
- IRL540STRLPBF-VB
- IRLL024ZTRPBF-VB
- IRLML2030TRPBF-VB
- IRLML6344GTRPBF-VB
- IRLR2905ZTRPBF-VB
- IRLR8103VTRPBF-VB
- IRLTS2242TRPBF-VB
- IRLU110PBF-VB
- ISL9N306AD3ST-VB
- MMDF3N04HDR2G-VB
- NDS9410A-NL-VB
- NDS9435A-NL-VB
- NTGS4111PT1G-VB
- RFD16N06LESM-VB
- SI2309DS-T1-GE3-VB
- SI2333DDS-T1-GE3-VB